【央视新闻客户端】

　　来源：爱集微

　　在俄勒冈州波特兰市郊的英特尔晶圆厂内，几台印着“ACM Research”（盛美半导体）标识的设备正在进行最后的调试。这些来自中国的湿法刻蚀设备，不仅承载着英特尔14A（1.4纳米级）先进制程的量产希望，更在悄然打破一个延续多年的行业认知——中国半导体设备只能用于成熟制程。当中国技术触及全球最顶尖芯片制造的核心环节，一场静悄悄却深刻的产业重构正在全球半导体领域展开。

　　技术破局：氮气鼓泡技术的“入场券”

　　英特尔14A制程的野心从一开始就直指行业巅峰。作为计划2027年量产的顶尖工艺，它搭载High-NA EUV光刻机与第二代PowerVia背面供电方案，目标是在晶体管密度和能效比上超越台积电2nm制程。然而，先进技术的背后是制程微缩带来的工艺难题——当芯片线路宽度进入纳米级，高深宽比结构的湿法刻蚀中，副产物沉积与刻蚀均匀性问题成为制约良率的致命瓶颈。

　　盛美设备能跻身英特尔测试名单，核心底气来自其专利申请中的氮气（N?）鼓泡技术。据盛美上海2025年7月的官方披露，升级后的Ultra C wb湿法清洗设备通过这项技术，将晶圆内及晶圆间的刻蚀均匀性提升50%以上，同时高效解决了传统磷酸清洗工艺中的副产物二次沉积问题。

　　这项技术的突破性在于其物理原理的创新。传统的湿法刻蚀工艺中，化学液在纳米级结构内流动性差，导致反应副产物难以排出，形成局部沉积。而盛美的氮气鼓泡技术通过在化学液中产生均匀、可控的微气泡，在纳米结构中形成微流动，有效带出副产物，同时气泡的物理作用还能防止结构坍塌，这对于3D NAND和先进逻辑芯片的制造尤为关键。

　　对英特尔而言，这一技术恰好匹配14A制程中3D逻辑器件的制造需求——PowerVia背面供电技术对电路精度的苛刻要求，需要刻蚀环节实现纳米级的控制精度。盛美设备已通过叠层氮化硅蚀刻、栅极线钨蚀刻等三道先进工艺验证，表现出与国际顶尖设备媲美的性能。

　　性能数据正在夯实这份竞争力。盛美高管在调研中证实，已向美国头部半导体厂商交付3套测试设备，部分关键指标已达标。其颗粒去除率能有效清除特殊磷酸添加剂的有机残留物，工艺兼容性覆盖磷酸、TMAH等多种化学药液。更具吸引力的是成本优势——盛美的批式处理设备在化学品消耗和生产效率上较单晶圆设备更具优势，这对因采用High-NA EUV而面临巨大成本压力的英特尔而言，无疑是重要考量。

　　英特尔的“双面困境”与供应链重构

　　英特尔对盛美设备的测试，本质上是一场关乎生存的战略下注。新任CEO陈立武（Pat Gelsinger）推动的代工业务“大手术”已明确方向：放弃18A制程外售，集中资源攻坚14A工艺，目标是通过2027年的量产计划争夺微软、英伟达等核心客户。然而，现实困境接踵而至：一方面，18A制程研发耗资数十亿美元，若14A量产延迟将引发巨额资产减计；另一方面，《芯片法案》承诺的数十亿美元补贴迟迟未到账，英特尔已投入300亿美元建厂却颗粒无收。

　　供应链多元化成为破局关键。长期以来，英特尔先进制程设备依赖应用材料、东京电子等巨头，湿法设备市场更是被这两家企业垄断超过80%。这种单一供应格局不仅使英特尔在定价上缺乏议价能力，更在地缘政治紧张时面临断供风险。盛美设备的出现，不仅带来性价比选择，更能构建更具韧性的供应链体系。

　　数据显示，盛美湿法设备全球市占率已排名第四，电镀设备位列第三，其自主知识产权体系能有效避免专利纠纷。英特尔副总裁约翰·皮策（John Pitzer）近期透露，14A制程开发进度优于同期18A，PDK（工艺设计套件）成熟度更高，这背后离不开设备测试环节的高效推进。值得注意的是，盛美在美国设有总部，在韩国拥有研发生产基地，形